Αριθμός μέρους κατασκευαστή : | GP2M020A060N |
---|---|
Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Κατασκευαστής / Μάρκα : | Global Power Technologies Group |
Κατάσταση αποθεμάτων : | Σε απόθεμα |
Περιγραφή : | MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN |
Πλοίο από : | Χονγκ Κονγκ |
Φύλλα δεδομένων : | GP2M020A060N.pdf |
Τρόπος αποστολής : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Αρ. | GP2M020A060N |
---|---|
Κατασκευαστής | SemiQ |
Περιγραφή | MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Διαθέσιμη ποσότητα | Σε απόθεμα |
Φύλλα δεδομένων | GP2M020A060N.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-3PN |
Σειρά | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 10A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 347W (Tc) |
Συσκευασία | Tube |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-3P-3, SC-65-3 |
Αλλα ονόματα | 1560-1214-1 1560-1214-1-ND 1560-1214-5 |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3184pF @ 25V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 70nC @ 10V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 600V |
Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 600V 20A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |