Αριθμός μέρους κατασκευαστή : | GP1M008A025PG |
---|---|
Κατάσταση RoHs : | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Κατασκευαστής / Μάρκα : | Global Power Technologies Group |
Κατάσταση αποθεμάτων : | Σε απόθεμα |
Περιγραφή : | MOSFET N-CH 250V 8A IPAK |
Πλοίο από : | Χονγκ Κονγκ |
Φύλλα δεδομένων : | GP1M008A025PG.pdf |
Τρόπος αποστολής : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Αρ. | GP1M008A025PG |
---|---|
Κατασκευαστής | SemiQ |
Περιγραφή | MOSFET N-CH 250V 8A IPAK |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS |
Διαθέσιμη ποσότητα | Σε απόθεμα |
Φύλλα δεδομένων | GP1M008A025PG.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | I-PAK |
Σειρά | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 52W (Tc) |
Συσκευασία | Tube |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Αλλα ονόματα | 1560-1166-1 1560-1166-1-ND 1560-1166-5 |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 423pF @ 25V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 8.4nC @ 10V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 250V |
Λεπτομερής περιγραφή | N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |